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BSZ024N04LS6ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:130A
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- 描述
- 特性：针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 额定温度为-175℃
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ024N04LS6ATMA1
- 商品编号
- C7223142
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 针对同步应用进行优化
- 极低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 额定温度175 °C
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
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