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BSC0500NSIATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:186A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0500NSIATMA1
- 商品编号
- C7220840
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 186A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对同步应用进行优化
- 极低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
- 额定温度175 °C