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BSC670N25NSFDATMA1
1个N沟道 耐压:250V 电流:24A
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- 描述
- 特性：N 沟道，额定温度 175℃。 出色的栅极电荷×导通电阻 RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 IEDEC1.1 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC670N25NSFDATMA1
- 商品编号
- C7220857
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@125V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.41nF@125V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF@125V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 功率半导体
- 超低导通电阻（RDSon）
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 高可靠性
- CR2碳化硅（SiC）肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压（VF）具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上（隔离封装）
- 结到外壳的热阻低
- 电源和信号引脚均可焊接，便于 PCB 安装
- 低外形
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关电源