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IRF9540STRLPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:19A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK（TO-263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其低内部连接电阻，D2PAK（TO-263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9540STRLPBF
- 商品编号
- C7211044
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品特性
- 低品质因数（FOM）Ron × Qg
- 低有效电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定值（UIS）
- 集成齐纳二极管静电放电保护
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源