商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@5V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
- 最新沟槽功率MOSFET技术
- 在4.5V栅源电压（VGS）下具有极低的导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 计算领域的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器