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IRFZ40PBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于功率耗散水平约为50W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中被广泛接受。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFZ40PBF
- 商品编号
- C7211200
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、SOT78封装的逻辑电平N沟道MOSFET。产品的设计和制造针对电池供电的电动工具应用进行了优化。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 175 °C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
应用领域
- 电池供电工具
- 负载开关
- 电机控制
- 不间断电源
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