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场效应管(MOSFET)
IRFBE30LPBF
引脚图
此图展示了型号为 IRFBE30LPBF 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 IRFBE30LPBF 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
IRFBE30LPBF
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.1A
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFBE30LPBF
商品编号
C7211048
商品封装
I2PAK
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
商品参数
资料纠错
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
4.1A
导通电阻(RDS(on))
3Ω@10V,2.5A
属性
参数值
耗散功率(Pd)
125W
阈值电压(Vgs(th))
4V
栅极电荷量(Qg)
78nC@10V
输入电容(Ciss)
1.3nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
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