商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 耗散功率(Pd) | 136.4W |
商品概述
这款碳化硅场效应晶体管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装，形成常关碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。这款采用D²PAK - 7L封装的器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻RDS(on)：85 mΩ（典型值）
- 工作温度：175℃（最大值）
- 出色的反向恢复：Qrr = 69 nC
- 低体二极管VFSD：1.54V
- 低栅极电荷：QG = 23 nC
- 阈值电压VG(th)：4.8V（典型值），允许0至15V驱动
- 封装爬电距离和电气间隙距离 > 6.1mm
- 开尔文源极引脚，用于优化开关性能
- 静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）2级
应用领域
- 电信和服务器电源
- 工业电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热