商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 18.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 166.7W |
商品概述
联合碳化硅公司的共源共栅产品将其高性能F3碳化硅快速结型场效应晶体管（JFET）与共源共栅优化的MOSFET共同封装，生产出了目前市场上唯一采用标准栅极驱动的碳化硅器件。该系列产品采用四引脚TO - 247封装，具有极快的开关速度，并且在同类额定值器件中拥有最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on),typ为150mΩ
- 最高工作温度为175°C
- 出色的反向恢复性能
- 低栅极电荷
- 低固有电容
- ESD保护，HBM 2级
- TO - 247 - 4L封装，实现更快的开关速度和干净的栅极波形
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热