- 引脚图
- 焊盘图
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UJ4C075033K3S
UJ4C075033K3S
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- 品牌名称
- Qorvo
- 商品型号
- UJ4C075033K3S
- 商品编号
- C7136815
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W |
商品概述
UJ4C075033K3S是一款750V、33mW的第四代碳化硅场效应晶体管（SiC FET）。它基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装，以实现常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 3L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻R_DS(on)：33mΩ（典型值）
- 工作温度：175°C（最大值）
- 出色的反向恢复：Q_rr = 71nC
- 低体二极管V_FSD：1.26V
- 低栅极电荷：Q_G = 37.8nC
- 阈值电压V_G(th)：4.8V（典型值），允许0至15V驱动
- 低固有电容
- 静电放电（ESD）保护：人体模型（HBM）2级和带电器件模型（CDM）C3级
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热