商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
商品概述
UF4SC120030K4S 是一款 1200V、30mW 的第四代碳化硅场效应管（SiC FET）。它基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应管（Si MOSFET）共同封装，形成常闭碳化硅场效应管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用 TO - 247 - 4L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻 RDS(on)：30mΩ（典型值）
- 工作温度：175°C（最大值）
- 出色的反向恢复：Qrr = 277nC
- 低体二极管 VFSD：1.22V
- 低栅极电荷：QG = 37.8nC
- 阈值电压 VG(th)：4.8V（典型值），允许 0 至 15V 驱动
- 低固有电容
- ESD 保护：人体模型（HBM）2 级和带电器件模型（CDM）C3 级
- TO - 247 - 4L 封装，实现更快的开关速度和干净的栅极波形
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热