商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W |
商品概述
UJ4C075018K3S是一款750V、18mW的第四代碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）。它基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开型SiC结型场效应晶体管（JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）共同封装，形成常关型SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）、硅FET、SiC MOSFET或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 3L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻RDS(on)：18mΩ（典型值）
- 工作温度：175℃（最大值）
- 出色的反向恢复：Qrr = 102nC
- 低体二极管VFS D：1.14V
- 低栅极电荷：QG = 37.8nC
- 阈值电压VG(th)：4.8V（典型值），允许0至15V驱动
- 低固有电容
- 静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）2级
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热