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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 985pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
- 逻辑电平
- 低栅极电荷，实现快速功率开关
- 100%进行UIS和Rg测试
- 工作结温达175°C
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，并符合WEEE 2002/96/EC指令
- 根据IEC 61249-2-21标准，无卤
应用领域
- 无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流