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AOTF9N90引脚图
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AOTF9N90

1个N沟道 耐压:900V 电流:9A

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品牌名称
AOS
商品型号
AOTF9N90
商品编号
C7076755
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)2.56nF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏极电流受最大结温限制。
  • RθJA的值是在环境温度TA = 25°C的静止空气环境中测量的。
  • 功耗PD基于TJ(MAX) = 150°C,使用结到外壳的热阻,在使用额外散热装置的情况下,对于设置功耗上限更有用。
  • 重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制,额定值基于低频和占空比,以保持初始TJ = 25°C。
  • RθJA是结到外壳的热阻RθJC和外壳到环境的热阻之和。
  • 图1至图6中的静态特性是使用小于300μs的脉冲、最大占空比0.5%获得的。
  • 这些曲线基于结到外壳的热阻,该热阻是在器件安装到大型散热片上测量的,假设最大结温TJ(MAX) = 150°C。SOA曲线提供单脉冲额定值。
  • L = 60mH,IAS = 3.6A,VDD = 150V,RG = 25Ω,起始TJ = 25°C

数据手册PDF