AOWF9N70
1个N沟道 耐压:700V 电流:9A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOWF9N70
- 商品编号
- C7076761
- 商品封装
- TO-262F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOWF9N70采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低RDS(ON)、Ciss和Crss,并保证有雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 更高的正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 常用的SOT - 227封装
- 更高的功率耗散
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