AOUS66923
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.5A；58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W；6.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.725nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOT8N50和AOTF8N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC - DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。