商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏极电流受最大结温限制。
- RθJA的值是在设备处于静止空气环境(TA = 25°C)中测量得到的。
- 功耗PD基于TJ(MAX) = 150°C,使用结到外壳的热阻,在设置使用额外散热装置情况下的上功耗限制时更有用。
- 重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制,额定值基于低频和占空比以保持初始TJ = 25°C。
- RθJA是结到外壳的热阻抗RθJC与外壳到环境的热阻抗之和。
- 图1至图6中的静态特性是使用小于300μs的脉冲、最大占空比0.5%获得的。
- 这些曲线基于结到外壳的热阻抗,该热阻抗是在设备安装到大型散热器上测量得到的,假设最大结温TJ(MAX) = 150°C。SOA曲线提供单脉冲额定值。
- L = 30mH,IAS = 3.2A,VDD = 150V,RG = 25Ω,起始TJ = 25°C

