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AOTF9N70引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOTF9N70

1个N沟道 耐压:700V 电流:9A

品牌名称
AOS
商品型号
AOTF9N70
商品编号
C7076753
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)27.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.63nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏极电流受最大结温限制。
  • RθJA的值是在设备处于静止空气环境(TA = 25°C)中测量得到的。
  • 功耗PD基于TJ(MAX) = 150°C,使用结到外壳的热阻,在设置使用额外散热装置情况下的上功耗限制时更有用。
  • 重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制,额定值基于低频和占空比以保持初始TJ = 25°C。
  • RθJA是结到外壳的热阻抗RθJC与外壳到环境的热阻抗之和。
  • 图1至图6中的静态特性是使用小于300μs的脉冲、最大占空比0.5%获得的。
  • 这些曲线基于结到外壳的热阻抗,该热阻抗是在设备安装到大型散热器上测量得到的,假设最大结温TJ(MAX) = 150°C。SOA曲线提供单脉冲额定值。
  • L = 30mH,IAS = 3.2A,VDD = 150V,RG = 25Ω,起始TJ = 25°C

数据手册PDF