S25HS01GTFAMHB010

该产品采用45纳米技术，每个存储阵列单元存储两个数据位。扇区架构选项包括统一架构和混合架构。混合架构提供两种配置：配置1的地址空间包含三十二个4KB扇区，这些扇区位于顶部或底部，其余扇区均为256KB；配置2的地址空间包含三十二个4KB扇区，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB。页编程缓冲区为256或512字节。安全硅阵列大小为1024字节。接口支持Quad SPI、Dual SPI和SPI。Quad SPI支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D协议，SDR模式运行速度最高达83MBps，DDR模式运行速度最高达102MBps。Dual SPI支持1S-2S-2S协议，SDR模式运行速度最高达41.5MBps。SPI支持1S-1S-1S协议，SDR模式运行速度最高达21MBps。

• 安全特性：提供功能安全性，具备高耐久性和长保持时间分区。数据完整性CRC可检测存储阵列错误。内置错误校正码可校正存储阵列数据的单位错误并检测双位错误。擦除状态指示器可指示电源在擦除期间是否中断。
• 保护特性：提供传统块保护功能。提供基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护功能。
• 上电后立即访问存储阵列。
• 支持通过CS#信号、独立RESET#引脚或DQ3_RESET#引脚进行硬件复位。
• 提供串行闪存可发现参数，用于描述设备功能和特性。
• 提供设备识别、制造商识别和识别信息。
• 数据完整性：256Mb器件主阵列的最小编程-擦除周期为640,000次；512Mb器件主阵列的最小编程-擦除周期为1,280,000次；1Gb器件主阵列的最小编程-擦除周期为2,560,000次。所有器件的4KB扇区最小编程-擦除周期为300,000次。最小数据保持时间为25年。
• 工作电压：1.7V至2.0V，或2.7V至3.6V。
• 工作温度范围：工业级为-40℃至+85℃；工业增强级为-40℃至+105℃；汽车级AEC-Q100 Grade 3为-40℃至+85℃；汽车级AEC-Q100 Grade 2为-40℃至+105℃；汽车级AEC-Q100 Grade 1为-40℃至+125℃。
• 封装：256Mb和512Mb器件提供24球BGA、16引脚SOIC和8触点WSON封装；1Gb器件提供24球BGA和16引脚SOIC封装。