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S25HS02GTDPBHV053引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S25HS02GTDPBHV053

S25HS02GTDPBHV053

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商品型号
S25HS02GTDPBHV053
商品编号
C7070346
商品封装
FBGA-24(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.166克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量2Gbit
工作电压1.7V~2V
属性参数值
页写入时间(Tpp)1.7ms
工作温度-40℃~+105℃
功能特性ECC纠错

商品概述

英飞凌 SEMPER™ Flash with Quad SPI 产品系列是采用 MIRRORBIT™ 技术的高速 CMOS NOR 闪存器件。该系列产品专为功能安全设计,遵循 ISO 26262 标准开发,以实现 ASIL-B 合规性与 ASIL-D 就绪性。这些器件支持传统的 SPI 单比特串行输入输出,可选的双比特(双 I/O 或 DIO)以及四比特宽的 Quad I/O(QIO)和 Quad Peripheral Interface(QPI)协议。此外,QIO 和 QPI 支持 DDR 读取事务,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。器件的读取操作是突发导向的,读取事务可配置为使用回绕突发或线性突发。回绕突发从单个页面读取,而线性突发可读取整个存储阵列。每个存储位的擦除状态为逻辑 1。编程操作将逻辑 1(高电平)变为逻辑 0(低电平)。只有擦除操作才能将存储位从 0 变为 1。擦除操作必须在完整的扇区(4 KB 或 256 KB)上进行。该系列提供灵活的扇区架构。地址空间可配置为统一的 256 KB 扇区阵列,或混合配置 1(三十二个 4 KB 扇区集中位于顶部或底部,其余扇区均为 256 KB),或混合配置 2(三十二个 4 KB 扇区位于顶部和底部,其余扇区均为 256 KB)。单次编程操作中使用的页编程缓冲区可配置为 256 字节或 512 字节。512 字节选项提供最高的编程吞吐量。该器件为采用 DDP 或 QDP 堆叠芯片的多芯片封装,封装内所有芯片的控制信号在内部连接在一起。

商品特性

  • 采用英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT™ 技术,每个存储阵列单元存储两个数据位
  • 提供 02GT 双芯片封装(DDP)和 04GT 四芯片封装(QDP)
  • 扇区架构选项:统一(所有扇区为 256 KB)或混合配置
  • 页编程缓冲区为 256 或 512 字节
  • 一次性可编程安全硅阵列为 1024 字节(32 × 32 字节)
  • 接口支持 Quad SPI、Dual SPI 和 SPI 协议
  • Quad SPI 支持 SDR 和 DDR 模式,最高速率分别达 83 MBps 和 102 MBps
  • 功能安全特性:业界首款符合 ISO26262 ASIL B 并支持 ASIL D 的 NOR 闪存
  • EnduraFlex™ 架构提供高耐久性和长数据保持分区
  • 数据完整性 CRC 可检测存储阵列错误
  • SafeBoot 报告器件初始化失败,检测配置损坏并提供恢复选项
  • 内置纠错码(ECC)可纠正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误(SECDED)
  • 扇区擦除状态指示器,用于指示擦除期间的电源中断
  • 保护特性:用于存储阵列和器件配置的传统块保护;基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
  • 硬件复位支持通过 CS# 信令方法(JEDEC)、独立 RESET# 引脚或 DQ3_RESET# 引脚实现
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP),用于描述器件功能和特性
  • 提供器件标识、制造商标识和标识
  • 主阵列最小可承受 2,560,000 次编程-擦除循环(02GT DDP, 04GT QDP 器件)
  • 所有器件的 4 KB 扇区最小可承受 300,000 次编程-擦除循环
  • 最小数据保持时间为 25 年
  • 工作电压范围:1.7 V 至 2.0 V(HS-T)或 2.7 V 至 3.6 V(HL-T)
  • 工作温度范围:工业级(-40℃ 至 +85℃)、工业增强级(-40℃ 至 +105℃)、汽车级 AEC-Q100 Grade 3(-40℃ 至 +85℃)、Grade 2(-40℃ 至 +105℃)、Grade 1(-40℃ 至 +125℃)
  • 封装:24 球 BGA,尺寸为 8×8 mm

数据手册PDF