S29GL01GS12DAE023

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S29GL01GS12DAE023
商品编号: C7070394
商品封装: FBGA-64(9x9)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	1Gbit
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	60ns
	工作温度	-55℃~+125℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品概述

该系列产品采用65纳米MIRRORBIT™闪存工艺技术制造。这些器件提供最快15纳秒的页访问时间，相应的随机访问时间为100纳秒。它们具有写缓冲区功能，允许单次操作最多编程256字/512字节，从而实现比标准编程算法更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适用于当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

商品特性

采用CMOS 3.0V核心，具有多功能I/O接口
基于65纳米MIRRORBIT™技术
用于读/编程/擦除操作的单电源（VCC），电压范围为2.7V至3.6V
宽I/O电压范围（VIO）：1.65V至VCC
16位数据总线
异步32字节页读取
512字节编程缓冲区
支持以页为倍数进行编程，最多可达512字节
提供单字编程和同一字多编程选项
自动检错与纠错（ECC）——内置硬件ECC，支持单比特错误纠正
扇区擦除，具有统一的128KB扇区
提供用于编程和擦除操作的中止与恢复命令
通过状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定器件状态
提供高级扇区保护功能
为每个扇区提供易失性和非易失性保护方法
独立的1024字节一次性编程阵列，包含两个可锁定区域
包含通用闪存接口参数表
工作温度范围：-55℃至+125℃；-55℃至+105℃
支持100次编程和擦除周期
数据保存期为20年
封装选项：56引脚TSOP；64球LAA增强型BGA，尺寸为13毫米×11毫米×1.4毫米；64球LAE增强型BGA，尺寸为9毫米×9毫米×1.4毫米

数据手册PDF

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