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S25HS02GTDPBHV050

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HS02GTDPBHV050
商品编号: C7070344
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

商品概述

赛普拉斯Semper™ Quad SPI闪存系列产品是高速CMOS MirrorBit NOR闪存器件。Semper闪存专为功能安全而设计，按照ISO 26262标准开发，以达到ASIL - B合规性和ASIL - D就绪状态。Semper Quad SPI闪存器件支持传统SPI单比特串行输入和输出，可选两比特（双I/O或DIO）以及四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）协议。此外，QIO和QPI有DDR读事务，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。从器件进行的读操作是面向突发的。读事务可配置为使用环绕式或线性突发。环绕式突发从单页读取，而线性突发可读取整个存储阵列。每个存储位的擦除状态为逻辑1。编程将逻辑1（高电平）更改为逻辑0（低电平）。只有擦除操作才能将存储位从0更改为1。擦除操作必须对整个扇区（4 KB或256 KB）执行。Semper闪存提供灵活的扇区架构。地址空间可配置为统一的256 KB扇区阵列，或混合配置1（32个4 KB扇区集中在顶部或底部，其余扇区均为256 KB），或混合配置2（顶部和底部各有32个4 KB扇区，其余扇区均为256 KB）。单次编程操作期间使用的页编程缓冲区可配置为256字节或512字节。512字节选项提供最高的编程吞吐量。该器件是采用DDP或QDP堆叠管芯的MCP，封装内所有管芯的控制信号在内部连接在一起。

商品特性

采用赛普拉斯45纳米MirrorBit技术，每个存储阵列单元可存储两个数据位
多芯片封装（MCP），有02GT双管芯封装（DDP）2×1 Gb管芯和04GT四管芯封装（QDP）4×1 Gb管芯
扇区架构有统一和混合两种选项
页编程缓冲区为256或512字节
OTP安全硅阵列1024字节（32×32字节）
支持Quad SPI、Dual SPI和SPI接口及多种协议
具备功能安全特性，是行业首个符合ISO26262 ASIL B且为ASIL D就绪的NOR闪存
EnduraFlex™架构提供高耐久性和长保留分区
数据完整性CRC可检测存储阵列中的错误
SafeBoot可报告器件初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
内置纠错码（ECC）可纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
扇区擦除状态指示器可指示擦除期间的掉电情况
具备传统块保护和高级扇区保护功能
可通过CS#信号方法（JEDEC）/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
有串行闪存可发现参数（SFDP）描述器件功能和特性
具备器件标识、制造商标识和唯一标识
02GT DDP和04GT QDP器件主阵列的最小编程 - 擦除周期为2560000次
所有器件4 KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300000次，数据保留时间至少25年
供电电压为1.7 V至2.0 V（HS - T）和2.7 V至3.6 V（HL - T）
有工业级（-40℃至+85℃）、工业增强级（-40℃至+105℃）、汽车AEC - Q100 3级（-40℃至+85℃）、汽车AEC - Q100 2级（-40℃至+105℃）、汽车AEC - Q100 1级（-40℃至+125℃）
02GT DDP和04GT QDP器件采用24球BGA 8×8 mm封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	2Gbit
	工作电压	1.7V~2V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位