S25HS02GTDPBHV050

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HS02GTDPBHV050
商品编号: C7070344
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

商品概述

Semper Flash with Quad SPI 系列产品是高速 CMOS MirrorBit NOR 闪存设备。Semper Flash 专为功能安全设计，根据 ISO 26262 标准开发，以实现 ASIL-B 合规性和 ASIL-D 就绪性。Semper Flash with Quad SPI 设备支持传统 SPI 单比特串行输入和输出，可选两比特（双 I/O 或 DIO）以及四比特宽 Quad I/O（QIO）和 Quad Peripheral Interface（QPI）协议。此外，还有用于 QIO 和 QPI 的 DDR 读取事务，在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。从设备读取操作是突发导向的。读取事务可以配置为使用包装突发或线性突发。包装突发从单个页面读取，而线性突发可以读取整个内存阵列。每个内存位的擦除状态是逻辑 1。编程将逻辑 1（高）更改为逻辑 0（低）。只有擦除操作才能将内存位从 0 更改为 1。擦除操作必须在完整扇区（4 KB 或 256 KB）上执行。Semper Flash 提供灵活的扇区架构。地址空间可以配置为统一的 256 KB 扇区阵列，或混合配置 1，其中三十二个 4 KB 扇区要么分组在顶部或底部，而其余扇区均为 256 KB，或混合配置 2，其中三十二个 4 KB 扇区在顶部和底部，而其余扇区均为 256 KB。单个编程操作中使用的页面编程缓冲区可配置为 256 字节或 512 字节。该设备是采用 DDP 或 QDP 堆叠芯片的 MCP，所有芯片的控制信号在封装内部连接在一起。

商品特性

采用赛普拉斯45纳米MirrorBit技术，每个存储阵列单元可存储两个数据位
多芯片封装（MCP），有02GT双管芯封装（DDP）2×1 Gb管芯和04GT四管芯封装（QDP）4×1 Gb管芯
扇区架构有统一和混合两种选项
页编程缓冲区为256或512字节
OTP安全硅阵列1024字节（32×32字节）
支持Quad SPI、Dual SPI和SPI接口及多种协议
具备功能安全特性，是行业首个符合ISO26262 ASIL B且为ASIL D就绪的NOR闪存
EnduraFlex™架构提供高耐久性和长保留分区
数据完整性CRC可检测存储阵列中的错误
SafeBoot可报告器件初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
内置纠错码（ECC）可纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
扇区擦除状态指示器可指示擦除期间的掉电情况
具备传统块保护和高级扇区保护功能
可通过CS#信号方法（JEDEC）/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
有串行闪存可发现参数（SFDP）描述器件功能和特性
具备器件标识、制造商标识和唯一标识
02GT DDP和04GT QDP器件主阵列的最小编程 - 擦除周期为2560000次
所有器件4 KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300000次，数据保留时间至少25年
供电电压为1.7 V至2.0 V（HS - T）和2.7 V至3.6 V（HL - T）
有工业级（-40℃至+85℃）、工业增强级（-40℃至+105℃）、汽车AEC - Q100 3级（-40℃至+85℃）、汽车AEC - Q100 2级（-40℃至+105℃）、汽车AEC - Q100 1级（-40℃至+125℃）
02GT DDP和04GT QDP器件采用24球BGA 8×8 mm封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	2Gbit
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	1.7V~2V
	待机电流	0.022mA
	擦写寿命	2560000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	25年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位