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PJA3463_R1_00001
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.5A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@ -10V，ID@ -2.5A ≤ 110mΩ。 RDS(ON)，VGS@ -4.5V，ID@ -1.5A ≤ 130mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3463_R1_00001
- 商品编号
- C7026694
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NP2301BVR采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- RDS(ON),VGS 为 - 10 V,ID 为 - 2.5 A 时,小于 110 mΩ
- RDS(ON),VGS 为 - 4.5 V,ID 为 - 1.5 A 时,小于 130 mΩ
- 先进沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM 应用等特别设计
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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