PJP4NA65H_T0_00001
1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJP4NA65H_T0_00001
- 商品编号
- C7026793
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.75Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于开关应用的MOSFET如今已可实现约1mΩ的管芯导通电阻，且能承载85A电流。PowerPAK是一种新型封装技术。PowerPAK SO - 8与标准SO - 8采用相同的封装尺寸和引脚排列。这使得PowerPAK可直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装，PowerPAK SO - 8利用了整个SO - 8的封装尺寸，释放了通常被引脚占用的空间，因此能够容纳比标准SO - 8更大的管芯。管芯附着焊盘底部外露，旨在为器件所安装的基板提供直接、低电阻的散热路径。该封装高度低于标准SO - 8，使其成为对空间有要求的应用的理想选择。
商品特性
- RDS(ON),VGS@10V,ID@1.5A < 3.75Ω
- 高开关速度
- 增强的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物(无卤)
应用领域
- 低输出电压、高电流同步整流器