PJD4NA65_R2_00001
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD4NA65_R2_00001
- 商品编号
- C7026733
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为20 A时，RDS(ON) < 21 mΩ
- 当VGS为4.5 V、ID为12 A时，RDS(ON) < 24 mΩ
- 开关速度快
- dv/dt能力提升
- 反向传输电容低
- 通过AEC - Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料