PJE8472B_R1_00001
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJE8472B_R1_00001
- 商品编号
- C7026749
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 820pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON)，栅源电压VGS为10V，漏极电流ID为10A时，小于12mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON)，栅源电压VGS为4.5V，漏极电流ID为5.0A时，小于15mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤）