PJD4NA65H_L2_00001
1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD4NA65H_L2_00001
- 商品编号
- C7026730
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.75Ω@10V,1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 高阻断电压，低导通电阻
- 高频操作
- 超小栅漏电荷（Qgd）
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车电池充电器
- 高压直流/直流转换器
- 开关模式电源