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ULN2003ADR

高压、大电流达林顿晶体管阵列

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描述: ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: ULN2003ADR
商品编号: C7512
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.33735克(g)

商品参数

晶体管类型：7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 500μA，350mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC

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	属性	参数值
	商品目录	达林顿晶体管阵列
	通道数	七路
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	500mA
	最大输入电压(VI)	30V

	属性	参数值
	集电极漏电流(Icex)	50uA
	正向压降(Vf)	1.7V
	反向电流(Ir)	50uA
	输入电容(Ci)	15pF