S25HL02GTDPBHV053
S25HL02GTDPBHV053
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S25HL02GTDPBHV053
- 商品编号
- C6998431
- 商品封装
- BGA-24(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | ECC纠错 |
商品概述
英飞凌带有Quad SPI接口的SEMPER™闪存系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT™ NOR闪存器件。SEMPER™闪存专为功能安全而设计,按照ISO 26262标准进行开发,以实现ASIL - B合规和ASIL - D就绪。该闪存支持传统SPI单比特串行输入输出,可选两比特(双I/O或DIO)以及四比特宽的Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)协议。此外,QIO和QPI还有DDR读取事务,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。设备的读取操作是面向突发的,读取事务可配置为使用环绕或线性突发。环绕突发从单页读取,而线性突发可读取整个存储阵列。每个存储位的擦除状态为逻辑1,编程将逻辑1(高电平)变为逻辑0(低电平),只有擦除操作才能将存储位从0变为1,擦除操作必须对整个扇区(4 KB或256 KB)执行。SEMPER™闪存提供灵活的扇区架构,地址空间可配置为统一的256 KB扇区阵列,或混合配置1(32个4 KB扇区集中在顶部或底部,其余扇区为256 KB),或混合配置2(顶部和底部各有32个4 KB扇区,其余扇区为256 KB)。单编程操作期间使用的页编程缓冲区可配置为256字节或512字节,512字节选项提供最高的编程吞吐量。该器件是带有DDP或QDP堆叠管芯的多芯片封装(MCP),封装内所有管芯的控制信号在内部连接在一起。
商品特性
- 采用45纳米技术,每个存储阵列单元存储两个数据位
- 提供双芯片封装和四芯片封装选项
- 提供统一扇区架构和两种混合扇区架构配置
- 页编程缓冲区可配置为256字节或512字节
- 包含1024字节的一次性可编程安全硅阵列
- 支持多种串行外设接口协议,包括单线、双线和四线模式
- 支持单数据速率和双数据速率选项,提供不同的传输速率
- 提供功能安全特性
- 提供高耐用性和长数据保持分区
- 数据完整性循环冗余校验可检测存储阵列中的错误
- 安全启动报告设备初始化失败,检测配置损坏并提供恢复选项
- 内置纠错码可纠正存储阵列数据的单位错误并检测双位错误
- 扇区擦除状态指示器用于擦除期间的电源丢失
- 提供对存储阵列和设备配置的传统块保护
- 提供基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
- 支持通过片选信号、独立复位引脚或数据引脚进行硬件复位
- 支持串行闪存可发现参数,用于描述设备功能和特性
- 提供设备标识、制造商标识和标识
- 主阵列的最小编程擦除周期为2,560,000次
- 4KB扇区的最小编程擦除周期为300,000次
- 最小数据保持时间为25年
- 工作电压范围:1.7伏至2.0伏,以及2.7伏至3.6伏
- 提供多种工业级和汽车级温度范围
- 封装形式为24球栅阵列,尺寸为8毫米×8毫米
- S25HL512TDPBHB013
- S25HL512TFABHB013
- S25HL512TFABHV013
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