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MC33153DG

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描述: MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MC33153DG
商品编号: C77946
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.207克(g)

商品参数

商品概述

MC33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。虽然该器件是为驱动分立和模块IGBT而设计的，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的去饱和或过流检测以及欠压检测。这些器件有双列直插式和表面贴装式封装。

商品特性

高电流输出级：1.0 A 源电流/2.0 A 灌电流
适用于传统IGBT和检测IGBT的保护电路
可编程故障消隐时间
过流和短路保护
针对IGBT优化的欠压锁定
负栅极驱动能力
经济高效地驱动功率MOSFET和双极晶体管
这是一款无铅、无卤化物器件

应用领域

交流感应电机控制
无刷直流电机控制
不间断电源

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优惠活动

购买数量

(98个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个98个/管

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	2A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	10.4V~12.6V
	上升时间(tr)	17ns
	下降时间(tf)	17ns
	工作温度	-40℃~+105℃