MPQ1925HR-LF-Z
MPQ1925HR-LF-Z
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- 品牌名称
- MPS(芯源)
- 商品型号
- MPQ1925HR-LF-Z
- 商品编号
- C6909584
- 商品封装
- QFN-8(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 8V~15V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
MPQ1925 是一款高频 N 沟道 MOSFET 半桥栅极驱动器。该器件的低端 MOSFET(LS-FET)和高端 MOSFET(HS-FET)驱动通道可独立控制,且延时匹配误差小于 5ns。在电源不足的情况下,器件的 HS-FET 和 LS-FET 欠压锁定(UVLO)保护功能会强制输出为低电平。MPQ1925 还集成了自举(BST)二极管,以减少外部元件数量。 MPQ1925 采用 QFN-8(4mmx4mm)封装。
商品特性
- 驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
- 115V 自举电压(VBST)范围
- 片上自举(BST)二极管
- 典型 20ns 传播延迟
- 栅极驱动器匹配时间 <5ns
- 在 12VDD 下,可驱动 2.2nF 负载,上升时间为 15ns,下降时间为 10ns
- 晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)兼容输入
- 静态电流(IQ)<150μA
- 高端 MOSFET(HS-FET)和低端 MOSFET(LS-FET)欠压锁定(UVLO)保护
- 采用 QFN-8(4mmx4mm)封装
应用领域
- 电机驱动器
- 电信
- 半桥电源
- DC/DC 转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
优惠活动
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