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MPQ6533GUE-AEC1-Z实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPQ6533GUE-AEC1-Z

三通道汽车预驱动器

SMT扩展库PCB免费打样
描述
MPQ6533是一款专为汽车直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。该器件驱动六个N沟道功率MOSFET,以驱动直流电机或其他负载。MPQ6533集成了一个LDO稳压器,为低端MOSFET生成栅极驱动电压。该器件还提供一个电荷泵,生成用于驱动外部N沟道MOSFET的电压,以实现反接电池保护。高端栅极驱动由自举电容和内部电荷泵生成,可实现100%占空比运行。内部放大器测量低端MOSFET两端的电压降。这使得无需使用分流电阻即可测量电流。内部安全特性包括可配置过流保护(OCP)、可调死区时间控制、欠压锁定(UVLO)和热关断。MPQ6533采用带有外露散热焊盘的QFN - 32(5mmx5mm)封装。
品牌名称
MPS(芯源)
商品型号
MPQ6533GUE-AEC1-Z
商品编号
C6909663
商品封装
QFN-32(5x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相
负载类型MOSFET
驱动通道数3
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)800mA
属性参数值
工作电压6V~40V
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP);短路保护(SCP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)2.2V
输入低电平(VIL)600mV
静态电流(Iq)6mA

商品概述

MPQ6533是一款专为汽车直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。该器件驱动六个N沟道功率MOSFET,以驱动直流电机或其他负载。 MPQ6533集成了一个LDO稳压器,为低端MOSFET生成栅极驱动电压。该器件还提供一个电荷泵,生成用于驱动外部N沟道MOSFET的电压,以实现反接电池保护。高端栅极驱动由自举电容和内部电荷泵生成,可实现100%占空比运行。 内部放大器测量低端MOSFET两端的电压降。这使得无需使用分流电阻即可测量电流。 内部安全特性包括可配置过流保护(OCP)、可调死区时间控制、欠压锁定(UVLO)和热关断。 MPQ6533采用带有外露散热焊盘的QFN - 32(5mmx5mm)封装。

商品特性

  • 集成用于栅极驱动的LDO稳压器
  • 用于外部N沟道MOSFET反接电池保护的电荷泵
  • 测量低端MOSFET两端压降的电流检测放大器
  • 低功耗睡眠模式
  • 可配置短路保护
  • 可调压摆率控制
  • 可调死区时间控制
  • 过温关断
  • 欠压警告和关断
  • 开路和短路负载检测
  • 串行外设接口(SPI)
  • 故障指示输出
  • 采用QFN - 32(5mmx5mm)封装
  • 符合AEC - Q100 1级标准

应用领域

  • 汽车执行器有刷直流电机驱动器

数据手册PDF