- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MP1921HQ-A-LF-Z
高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器，内置自举二极管
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- 品牌名称
- MPS(芯源)
- 商品型号
- MP1921HQ-A-LF-Z
- 商品编号
- C6910005
- 商品封装
- QFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 9V~18V | |
| 上升时间(tr) | 12ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 |
商品概述
MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低侧和高侧驱动通道独立控制，匹配时间延迟小于5ns。高侧和低侧电源的欠压锁定功能可在电源不足时强制其输出为低电平。集成的自举二极管减少了外部元件数量。
商品特性
- 驱动N沟道MOSFET半桥，120V自举电压范围
- 片上自举二极管
- 典型16ns传播延迟时间
- 小于5ns的栅极驱动匹配
- 在12V VDD下驱动1nF负载，上升/下降时间为12ns/9ns
- TTL兼容输入
- 小于150μA静态电流
- 高侧和低侧均具备UVLO功能
- 提供SOIC8E、SOIC-8、3×3mm QFN8、3×3mm QFN9和4×4mm QFN10封装
应用领域
- 电信半桥电源
- 电子设备DC-DC转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- 直流电机驱动器
- MQF326T25-16.325291-1.0/-40+85
- MQF326T25-16.357-2.5/-30+85
- MQF326T25-16.3574-1.0/-40+85
- MQF326T25-16.3677-2.5/-30+85
- MQF326T25-16.380-1.0/-40+85
- MQF326T25-18.601-1.0/-40+85
- MQF326T25-180.000-1.0/-40+85
- MQF326T25-187.500-1.0/-40+85
- MQF326T25-19.6608-1.0/-40+85
- MP20045DQ-33-LF-Z
- MQF326T25-20.000-2.5/-30+85
- MP200A
- MQF326T25-20.800-1.0/-40+85
- MQF326T25-24.750-1.0/-40+85
- MQF326T25-25.000625-1.0/-40+85
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- MP2119DQ-LF-Z
- MQF326T25-43.392-1.0/-40+85