TSM025NB04LCR RLG
1个N沟道 耐压:40V 电流:161A 电流:24A
- 商品型号
- TSM025NB04LCR RLG
- 商品编号
- C6887559
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A；161A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.435nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 388pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 采用小型薄型封装，占用空间小
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）
- 低漏电流：IDSS = -10 μA（最大值）（VDS = -40 V）
- 增强型：Vth = -0.8 至 -2.0 V（VDS = -10 V，ID = -0.2 mA）
应用领域
- 锂离子二次电池
- 电源管理开关