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TSM056NH04CV RGG

1个N沟道耐压:40V 电流:54A 电流:16A

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM056NH04CV RGG
商品编号: C6887567
商品封装: PDFN-8(3.1x3.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

商品概述

非常适合AB类和C类工业、科学、医疗和商业应用。

商品特性

超低导通电阻
100%进行了非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合RoHS标准
根据IEC 61249-2-21标准无卤

应用领域

-直流-直流转换器-螺线管和电机驱动器-负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	54A；16A
	导通电阻(RDS(on))	5.6mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	34W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.6V
	栅极电荷量(Qg)	29nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.828nF
	反向传输电容(Crss)	35pF
	工作温度	-55℃~+150℃