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TSM1NB60CW RPG实物图
  • TSM1NB60CW RPG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM1NB60CW RPG

1个N沟道 耐压:600V 电流:1A

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商品型号
TSM1NB60CW RPG
商品编号
C6887569
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.212克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)39W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)6.1nC@10V
输入电容(Ciss)138pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 先进平面工艺
  • 100%雪崩测试
  • 低漏源导通电阻RDS(ON),典型值8 Ω
  • 低栅极电荷,典型值6.1 nC
  • 低反向传输电容Crss,典型值4.2 pF

应用领域

  • 电源
  • 照明
  • 充电器

数据手册PDF