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TSM038N04LCP ROG

1个N沟道耐压:40V 电流:135A

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM038N04LCP ROG
商品编号: C6887563
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

商品特性

低导通电阻RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和Rq测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

无刷直流(BLDC)电机控制
电池电源管理
直流-直流(DC-DC)转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	135A
	导通电阻(RDS(on))	3.8mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	125W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	104nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.509nF
	工作温度	-55℃~+150℃