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TSM048NB06LCR RLG引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM048NB06LCR RLG

TSM048NB06LCR RLG

商品型号
TSM048NB06LCR RLG
商品编号
C6887565
商品封装
PDFN-8(5.2x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)107A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)105nC
输入电容(Ciss)6.253nF
反向传输电容(Crss)168pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)388pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON),以尽量降低传导损耗
  • 逻辑电平
  • 低栅极电荷,实现快速功率开关
  • 100%进行单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
  • 工作结温达175°C
  • 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
  • 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求

应用领域

  • 无刷直流(BLDC)电机控制
  • 电池电源管理
  • DC-DC转换器
  • 次级同步整流

数据手册PDF