SUD35N10-26P-E3
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD35N10-26P-E3
- 商品编号
- C6830080
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W；8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
在一个封装中集成了一个N沟道MOSFET和一个肖特基势垒二极管。低导通电阻RDS(ON)和低正向压降VF
商品特性
- 在一个封装中集成了一个N沟道MOSFET和一个肖特基势垒二极管。
- 低导通电阻RDS(ON)和低正向压降VF
应用领域
- 直流-直流转换器应用