我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
SUP90330E-GE3实物图
  • SUP90330E-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SUP90330E-GE3

1个N沟道 耐压:200V 电流:35.8A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SUP90330E-GE3
商品编号
C6830096
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)35.1A
导通电阻(RDS(on))37.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
输入电容(Ciss)1.172nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

该系列器件采用第二代MDmesh技术设计。这款革命性的功率MOSFET将新型垂直结构与条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。

商品特性

  • ThunderFET功率MOSFET
  • 低RDS - Qg品质因数(FOM)
  • 最高结温175 °C
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

-同步整流-电源-直流/交流逆变器-直流/直流转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关

数据手册PDF