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SUG80050E-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:100A
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- 描述
- 特性：ThunderFET功率MOSFET。 低RDS-Qg品质因数（FOM）。 最高175℃结温。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUG80050E-GE3
- 商品编号
- C6830084
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电机驱动控制
- LED背光
- 负载开关
- 工业应用