SUM70090E-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM70090E-GE3
- 商品编号
- C6830090
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些器件为采用 SuperMESH 3 技术制造的 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对意法半导体（STMicroelectronics）的 SuperMESH TM 技术进行改进，并结合全新优化的垂直结构而得。由此产生的晶体管具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，特别适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改进的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用