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SUM70090E-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SUM70090E-GE3

1个N沟道 耐压:100V 电流:50A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SUM70090E-GE3
商品编号
C6830090
商品封装
TO-263(D2PAk)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))8.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)1.95nF
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这些器件为采用 SuperMESH 3 技术制造的 N 沟道功率 MOSFET,该技术是对意法半导体(STMicroelectronics)的 SuperMESH TM 技术进行改进,并结合全新优化的垂直结构而得。由此产生的晶体管具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,特别适用于要求最为严苛的应用场景。

商品特性

  • ThunderFET功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • Qgd / Qgs比 < 1,优化开关特性
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

  • 电源
  • 次级同步整流
  • DC/DC转换器
  • 电动工具
  • 电机驱动开关
  • DC/AC逆变器
  • 电池管理

数据手册PDF