SUM50010E-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM50010E-GE3
- 商品编号
- C6830088
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 212nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低通过平台电压(Vplateau)时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理-或门二极管/电子保险丝