商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmeshTM K5 技术设计而成。这使得导通电阻大幅降低,栅极电荷超低,适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业内最低的RDS(ON)x 面积
- 业内最佳品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用
- STFV050-10N
- STGIPS10C60
- SXT11410CC07-25.000M
- STGW50HF60SD
- STGW60H65DRF
- SXT11410CC07-40.000M
- STGWA40S120DF3
- SXT11410CC16-27.000M
- STGWA45HF60WDI
- SXT11410CC16-27.120M
- STH11K33F07-38.400M
- STH11K33O17-26.000M
- STH11K33Q17-26.000M
- SXT11410CC17-25.000M
- STH21K33F07-38.400M
- SXT11410CC17-26.000M
- STH21K33F16-26.000M
- SXT11410CC17-38.400M
- STH21K33F17-26.000M
- STH21K33F38-32.000M
- SXT11410CC27-40.000M