STFI9N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI9N80K5
- 商品编号
- C6829826
- 商品封装
- I2PAKFP(TO-281)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V 时为 28 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V 时为 32 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 1.8 V 时为 40 mΩ
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅设计/符合 RoHS 标准
- 符合 AEC - Q101 高可靠性标准
- “绿色”器件