- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 284W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 130A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.05V；1.15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@480V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 400pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 100pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 47ns；50ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 220ns；250ns | |
| 导通损耗(Eon) | 450uJ；250uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.2mJ；7.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 67ns；103ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STGW50HF60SD是基于新型先进平面技术的极低压降IGBT，具有极低的导通电压和有限的关断损耗。整体性能使其成为PF≤1的混合频率拓扑结构中低频开关的理想选择。采用TO-247封装。根据迭代公式计算：I_C(T_C) = (T_j(max) - T_C) / (R_thj-c × V_CE(sat)(max)(T_j(max), I_C(T_C)))。Vclamp = 80% V_CES，T_j=150℃，R_G=10Ω，V_GE=15V。脉冲宽度受最大结温和RBSOA内的关断限制。
商品特性
- 极低的导通压降
- 低关断损耗
- 高电流能力
- 非常软的超快速恢复反并联二极管
应用领域
- 光伏逆变器
- 不间断电源
- STGW60H65DRF
- STGWA40S120DF3
- STGWA45HF60WDI
- SXT11410CC07-40.000M
- SXT11410CC16-27.000M
- SXT11410CC16-27.120M
- STH11K33F07-38.400M
- STH11K33O17-26.000M
- STH11K33Q17-26.000M
- SXT11410CC17-25.000M
- STH21K33F07-38.400M
- SXT11410CC17-26.000M
- STH21K33F16-26.000M
- SXT11410CC17-38.400M
- STH21K33F17-26.000M
- STH21K33F38-32.000M
- SXT11410CC27-40.000M
- STH21K33O07-38.400M
- STH21K33P17-38.400M
- SXT11410DA07-40.000M
- STH21K33Q16-38.400M