商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列器件采用第二代MDmesh技术设计。这款革命性的功率MOSFET将新型垂直结构与条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 仅受允许的最高温度限制
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
- STW32N65M5
- SXT11410EC38-32.000M
- STW81103AT
- SXT11410ED17-32.000M
- STW8T36B-P0Q5-FA-LOA
- SXT11410ED27-25.000M
- STWLC99JR
- STXR40AB90-1412BI
- SXT11410ED27-26.000M
- SXT11410ED27-40.000M
- STXR41AB45-1814AI
- SU CZHPF1.VC-U1U4-L1L2-V1-250-R18B
- SXT11410ED38-38.400M
- SXT11410ED48-26.000M
- SUCS100515C-C
- SUCS102405C-C
- SXT11410ED48-27.000M
- SUCS102405C-G
- SXT11410ED48-32.000M
- SUCS102412B-G
- SUCS102415B