STW30NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:27A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW30NM50N
- 商品编号
- C6829979
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.74nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 可焊侧翼端子
- 0.75mm薄型设计，热阻低
- 符合RoHS标准
- 无卤
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