商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 525V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 510mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款n沟道增强型功率MOSFET是独特的“单一特征尺寸TM”条形工艺的最新改进成果，该工艺的关键对准步骤更少，因此具有出色的制造再现性。由此制成的晶体管具有极低导通电阻所需的极高封装密度、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改进的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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