商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.04nF |
商品概述
该产品采用意法半导体(ST)专有的第六代STripFET技术设计规则,并采用了全新的栅极结构。由此得到的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- RDS(on) * Qg行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- DPAK
- IPAK
应用领域
- 开关应用
- STW30NM50N
- STW32N65M5
- STW-350F188PR01-04
- SXT11410EC38-32.000M
- STW81103AT
- SXT11410ED17-32.000M
- STW8T36B-P0Q5-FA-LOA
- SXT11410ED27-25.000M
- STWLC99JR
- STXR40AB90-1412BI
- SXT11410ED27-26.000M
- SXT11410ED27-40.000M
- STXR41AB45-1814AI
- SU CZHPF1.VC-U1U4-L1L2-V1-250-R18B
- SXT11410ED38-38.400M
- SXT11410ED48-26.000M
- SUCS100515C-C
- SUCS102405C-C
- SXT11410ED48-27.000M
- SUCS102405C-G
- SXT11410ED48-32.000M