STB180N55F3
1个N沟道 耐压:55V 电流:120A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB180N55F3
- 商品编号
- C6829553
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款n沟道增强型功率MOSFET是独特的“单一特征尺寸TM”条形工艺的最新改进成果,该工艺的关键对准步骤更少,因此具有出色的制造再现性。由此制成的晶体管具有极低导通电阻所需的极高封装密度、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
商品特性
- 数值受引线键合限制
- 超低导通电阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
- TO-220
- D2PAK