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SED14N65G
1个N沟道 耐压:650V 电流:14A
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- 描述
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改进直通FOM。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SED14N65G
- 商品编号
- C729821
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.224nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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