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SE2333
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适用于用作负载开关或 PWM 应用。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE2333
- 商品编号
- C729826
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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